晶體管的發(fā)明可以追溯到1929年,當(dāng)時(shí)工程師利蓮·費(fèi)爾德已經(jīng)獲得了晶體管的專利。然而,由于當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平,制造該設(shè)備的材料不能達(dá)到足夠的純度,這使得晶體管暫時(shí)無法制造。直到二戰(zhàn)時(shí)期,許多實(shí)驗(yàn)室在硅和鍺材料的制造和理論研究方面也取得了許多成就,這些成就為晶體管的發(fā)明奠定了基礎(chǔ)。
在1945年,美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室成立了半導(dǎo)體研究小組,小組成員有肖克來、布拉頓和巴丁等人。他們?nèi)硕奸L(zhǎng)期從事半導(dǎo)體的研究,擁有非常豐富的經(jīng)驗(yàn)。通過一系列的實(shí)驗(yàn)以及觀察,他們利用兩個(gè)靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點(diǎn),來代替金箔接點(diǎn),制造了“點(diǎn)接觸型晶體管”。1947年12月,這個(gè)世界上最早的實(shí)用半導(dǎo)體器件終于問世了,在首次試驗(yàn)時(shí),它能把音頻信號(hào)放大100倍,它的外形比火柴棍短,但要粗一些。在為這種器件命名時(shí),布拉頓想到它的電阻變換特性,即它是靠一種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉(zhuǎn)移電流來工作的,于是取名為trans-resistor(轉(zhuǎn)換電阻),后來縮寫為transistor,中文譯名就是晶體管。
這就是第一代晶體管的問世,但是由于點(diǎn)接觸型晶體管制造工藝比較復(fù)雜,技術(shù)不成熟,導(dǎo)致產(chǎn)品良品率低下,還有很多缺點(diǎn),比如噪音大、功率難以控制、適用范圍窄等缺點(diǎn)。為了解決這些問題,肖克利等人又提出了用一種“整流結(jié)”來代替金屬半導(dǎo)體接點(diǎn)的大膽設(shè)想,所以第一只“PN型晶體管”問世了,在1956年,肖克利、巴頓、布拉頓三人憑借發(fā)明出晶體管同時(shí)斬獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。
拓展閱讀:晶體管的分類
雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET,單極性)。晶體管有三個(gè)極(端子);雙極性晶體管的三個(gè)極(端子),分別是由N型、P型半導(dǎo)體組成的發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極(端子),分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
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