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合封芯片

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YF54E54K

定制合封芯片

YF54E54K 是以 EPROM 作為存儲(chǔ)器的 8 位單片機(jī),并內(nèi)置鋰電池充電功能,專為鋰電池供電和多組 PWM 要求應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用 CMOS 制程并同時(shí)提供 客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等顯著優(yōu)勢(shì)。YF54E54K 核心建立在 RISC 精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制,共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要兩個(gè)指令時(shí)鐘,大多數(shù)指令都是一個(gè)指令時(shí)鐘能完成,可以讓用戶輕松地以過(guò)程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。在 I/O 的資源方面,YF54E54K有 12 根彈性的雙向 I/O 腳,每個(gè) I/O 腳都有單獨(dú)的寄存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個(gè) I/O 腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開(kāi)漏(Open-Drain)輸出。此外針對(duì)紅外線搖控的產(chǎn)品方面,YF54E54K 內(nèi)置了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。
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服務(wù)熱線:0755-82225097

  • 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品概述


YF54E54K 是以 EPROM 作為存儲(chǔ)器的 8 位單片機(jī),并內(nèi)置鋰電池充電功能,專為鋰電池供電和多組 PWM 要求應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用 CMOS 制程并同時(shí)提供 客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等顯著優(yōu)勢(shì)。YF54E54K 核心建立在 RISC 精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制,共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要兩個(gè)指令時(shí)鐘,大多數(shù)指令都是一個(gè)指令時(shí)鐘能完成,可以讓用戶輕松地以過(guò)程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。

I/O 的資源方面,YF54E54K 12 根彈性的雙向 I/O 腳,每個(gè) I/O 腳都有單獨(dú)的寄存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個(gè) I/O 腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開(kāi)漏(Open-Drain)輸出。此外針對(duì)紅外線搖控的產(chǎn)品方面,YF54E54K 內(nèi)置了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。

YF54E54K 有三組計(jì)時(shí)器,可用系統(tǒng)時(shí)鐘當(dāng)作一般的計(jì)時(shí)應(yīng)用或者從外部訊號(hào)觸發(fā)來(lái)計(jì)數(shù)。另外提供 5 10 位的 PWM 輸出,1 組蜂鳴器輸出可用來(lái)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)、LED、或蜂鳴器等。

YF54E54K 采用雙時(shí)鐘機(jī)制,高速振蕩時(shí)鐘或者低速振蕩時(shí)鐘可以由內(nèi)部 RC 振蕩或外部Crystal 輸入。在雙時(shí)鐘機(jī)制下, YF54E54K 可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slowmode)、待機(jī)模式(Standby mode)與睡 眠模式(Halt mode),可節(jié)省電力消耗,延長(zhǎng)電池壽命。

在省電的模式下如待機(jī)模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)中,有多種事件可以觸發(fā)中斷喚醒 NY8A051H 進(jìn)入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 來(lái)處理突發(fā)事件。

產(chǎn)品功能
YF8A051H

  • l 寬廣的工作電壓:

    2.0V ~ 5.5V @系統(tǒng)時(shí)鐘 8MHz

    2.2V ~ 5.5V @系統(tǒng)時(shí)鐘 >8MHz

    l 寬廣的工作溫度:-40°C ~ 85°C

    l 2Kx14 位的程序存儲(chǔ)器空間。

    l 128 字節(jié)的通用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間。

    l 14 根可分別單獨(dú)控制輸入輸出方向的 I/O 腳(GPIO)、PA[7:0] 、PB[5:0]。

    l PA[5:0] PB[3:0] 可選擇輸入時(shí)使用內(nèi)建下拉電阻。

    l PA[7: 0] PB[5:0] 可選擇輸入時(shí)使用上拉電阻。

    l PB[5:0] 可選擇開(kāi)漏極輸出(Open-Drain)。

    l PA[5] 可選擇當(dāng)作輸入或開(kāi)漏極輸出(Open-Drain)

    l 8 層程式堆棧(Stack)。

    l 存取資料有直接或間接定址模式。

    l 一組 8 位元上數(shù)計(jì)時(shí)器(Timer0)包含可程式化的頻率預(yù)除線路。

    l 二組 10 位元下數(shù)計(jì)時(shí)器(Timer1, 3)可選重複載入或連續(xù)下數(shù)計(jì)時(shí)。

    l 五個(gè) 10 位元脈衝寬度調(diào)變(PWM1, 2, 3, 4, 5),PWM1/2 共用 Timer1; PWM3/4/5 共用 Timer3

    l 一個(gè)蜂鳴器輸出(BZ1)。

    l 38/57KHz 紅外線載波頻率可供選擇,同時(shí)載波之極性也可以根據(jù)數(shù)據(jù)作選擇。

    l 內(nèi)建準(zhǔn)確的低電壓偵測(cè)電路(LVD)。

    l 內(nèi)建準(zhǔn)確的電壓比較器(Voltage Comparator)  

    l 內(nèi)建上電復(fù)位電路(POR)。

    l 內(nèi)建低壓復(fù)位功能(LVR)。

    l 內(nèi)建看門狗計(jì)時(shí)(WDT),可由程式韌體控制開(kāi)關(guān)。

    l 內(nèi)建電阻頻率轉(zhuǎn)換器(RFC)功能。




  • l 雙時(shí)鐘機(jī)制,系統(tǒng)時(shí)鐘可以隨時(shí)切換高速振蕩或者低速振蕩。

    >高速振盪:E_HXT (超過(guò) 6MHz 外部高速石英振盪)

    E_XT (455K~6MHz 外部石英振盪)

    I_HRC (1~20MHz 內(nèi)部高速 RC 振盪)

    >低速振盪:E_LXT (32KHz 外部低速石英振盪)

    I_LRC (內(nèi)部 32KHz 低速 RC 振盪)

    l 四種工作模式可隨系統(tǒng)需求調(diào)整電流消耗:正常模式(Normal mode)、慢速模式(Slow mode)、

    待機(jī)模式 Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)。

    l 八種硬體中斷:

    Timer0 溢位中斷。

    Timer1 借位中斷。

    Timer3 借位中斷。

    WDT 中斷。

    PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

    兩組外部中斷輸入。

    低電壓偵測(cè)中斷。

    l YF54E54K 在待機(jī)模式(Standby mode)下的八種喚醒中斷:

    Timer0 溢位中斷。

    Timer1 借位中斷。

    Timer3 借位中斷。

    WDT 中斷。

    PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

    兩組外部中斷輸入。

    低電壓偵測(cè)中斷。

    l YF54E54K 在睡眠模式(Halt mode)下的四種喚醒中斷:

    WDT 中斷。

    PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

    兩組外部中斷輸入。




引腳圖


YF54E54K提供一種封裝類型:SOP16


引腳圖

引腳說(shuō)明

引腳說(shuō)明

推薦產(chǎn)品

NY8A051C

NY8A051C單片機(jī)

九齊NY8A051C單片機(jī)是以EPROM作為記憶體的8位單片機(jī),專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計(jì),例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是遊樂(lè)器周邊等等。採(cǎi)用CMOS製程並同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等顯著優(yōu)勢(shì)。NY8A051C核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個(gè)時(shí)序,大多數(shù)指令都是1個(gè)時(shí)序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應(yīng)用。
NY8A051D單片機(jī)

NY8A051D單片機(jī)

NY8A051D是以EPROM作為存儲(chǔ)器的8位單片機(jī),專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計(jì),例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是玩具周邊等等。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能等優(yōu)勢(shì)。NY8A051D核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個(gè)指令時(shí)鐘,大多數(shù)指令都是一個(gè)指令時(shí)鐘能完成,可以讓用戶輕松地以程序控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。
NY8A062D

NY8A062D單片機(jī)

NY8B062D是以EPROM作為存儲(chǔ)器的8位單片機(jī),專為家電或量測(cè)等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等顯著優(yōu)勢(shì)。NY8B062D核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個(gè)指令時(shí)鐘,大多數(shù)指令都是一個(gè)指令時(shí)鐘能完成,可以讓用戶輕松地以過(guò)程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。NY8B062D內(nèi)建高精度十一加一通道12位ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器,與高精度電壓比較器,足以應(yīng)付各種模擬接口的偵測(cè)與量測(cè)。
NY8A062A

NY8A062A單片機(jī)

NY8B062A是以EPROM作為記憶體的8位元微控制器,除了適用於家電或量測(cè)等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。更針對(duì)霧化器產(chǎn)品做優(yōu)化調(diào)適。採(cǎi)用CMOS製程並同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等顯著優(yōu)勢(shì)。NY8B062A核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個(gè)時(shí)序,大多數(shù)指令都是1個(gè)時(shí)序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應(yīng)用。

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