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YFBM62D

九齊芯片

NY8BM62D 是以MTP作為程式記憶體,做為非揮發(fā)性資料記憶體的 8 位元微控制器。除此之外內(nèi)建類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器也適用于家電或量測等等的應(yīng)用設(shè)計。採用CMOS製程并同時提供客戶低成本、高性能、等顯著優(yōu)勢。而MTP作為程式記憶體能讓使用者更方便且有效率的開發(fā)產(chǎn)品。NY8BM62D 核心建立在精簡指令集架構(gòu),可以很容易地做編輯和控制,共有 53 條指令。除了少數(shù)指令需要 2 個時序,大多數(shù)指令都是 1 個時序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。
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服務(wù)熱線:0755-82225097

  • 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品概述

NY8BM62D 是以MTP作為程式記憶體,做為非揮發(fā)性資料記憶體的 8 位元微控制器。除此之外內(nèi)建類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器也適用于家電或量測等等的應(yīng)用設(shè)計。採用CMOS製程并同時提供客戶低成本、高性能、等顯著優(yōu)勢。而MTP作為程式記憶體能讓使用者更方便且有效率的開發(fā)產(chǎn)品。NY8BM62D 核心建立在精簡指令集架構(gòu),可以很容易地做編輯和控制,共有 53 條指令。除了少數(shù)指令需要 2 個時序,大多數(shù)指令都是 1 個時序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。

NY8BM62D內(nèi)建除錯仿真電路,利用兩個腳位與很少的外接硬體,就能實現(xiàn)在線仿真器的大多數(shù)功能, 例如設(shè)定程式執(zhí)行條件與中斷條件, 片上單步執(zhí)行,以及查看及設(shè)定各種暫存器的內(nèi)容。仿真的執(zhí)行效果將比一般的仿真器更接近實際IC運作。

NY8BM62D內(nèi)建12位元高精度11+2通道類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器與高精度電壓比較器,足以應(yīng)付各種類比介面的偵測與量測。NY8BM62D內(nèi)建的高頻振盪器, 在I/O的資源方面,NY8BM62D 有 14 根彈性的雙向I/O腳,每個I/O腳都有單獨的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對紅外線搖控的產(chǎn)品方面,NY8BM62D內(nèi)建了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。

NY8BM62D 有四組計時器,可用系統(tǒng)頻率當(dāng)作一般的計時的應(yīng)用或者從外部訊號觸發(fā)來計數(shù)。另外NY8BM62D 提供5 組 10 位元解析度的PWM輸出,1 組蜂鳴器輸出可用來驅(qū)動馬達(dá)、LED、或蜂鳴器等等。NY8BM62D的計時器同時具有增強型捕捉/比較/可編程死區(qū)時間的PWM模塊(ECCP).

NY8BM62D 採用雙時鐘機(jī)制,高速振盪或者低速振盪都可以分別選擇內(nèi)部RC振盪或外部晶振輸入。在雙時鐘機(jī)制下,NY8BM62D 可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節(jié)省電力消耗延長電池壽命。并且微控制器在使用內(nèi)部RC高速振盪時,低速振盪可以同時使用外部精準(zhǔn)的晶振計時,可以維持高速處理同時又能精準(zhǔn)計算真實時間。

在省電的模式下如待機(jī)模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)中,有多種事件可以觸發(fā)中斷喚醒NY8BM62D 進(jìn)入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 來處理突發(fā)事件。

NY8BM62D能使用內(nèi)建除錯模擬電路來模擬實際IC動作。

產(chǎn)品功能
YFBM62D

系統(tǒng)主頻提供 20M/16M/8M/4M/2M/1M(2T/4T)各種選擇。

Timer 1/4/5 可選擇系統(tǒng)主頻直接輸入。

內(nèi)建二線控制的除錯模擬電路(On Chip Debug)。

寬廣的工作電壓:

2.0V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率 ≦8MHz。

2.2V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率 > 8MHz。

寬廣的工作溫度:-40°C ~ 85°C。

2Kx14 bits MTP。

128 bytes SRAM。

14 根可分別單獨控制輸入輸出方向的I/O腳(GPIO)、PA[7:0]、PB[5:0] 。

PA[5:0]及PB[3:0]可選擇輸入時使用內(nèi)建下拉電阻。

PA[7:0]及PB[5:0]可選擇輸入時使用上拉電阻,上拉電阻為 100KΩ。

PB[5:0]可選擇開漏極輸出(Open-Drain)。

除了PA5(VPP PIN)外, 所有I/O腳輸出灌電流(Sink Current)有三檔可選: 小(Small)、一般(Normal)或大(Large)。除了PA5(VPP PIN)外,所有I/O腳輸出推電流(Drive Current)可選擇小(Small)或一般(Normal)。

8 層程式堆棧(Stack)。

存取資料有直接或間接定址模式。

一組 8 位元上數(shù)計時器(Timer0)包含可程式化的頻率預(yù)除線路。

三組 10 位元下數(shù)計時器(Timer1. 4. 5)可選重復(fù)載入或連續(xù)下數(shù)計時。

五個 10 位元脈衝寬度調(diào)變(PWM1. 2. 3. 4. 5)。

Timer4. 5 可組成 16 位元捕捉/比較功能, Timer5/PWM5 可轉(zhuǎn)變成具死區(qū)控制的PWM輸出。

一個蜂鳴器輸出(BZ1)。

38/57KHz紅外線載波頻率可供選擇,同時載波之極性也可以根據(jù)數(shù)據(jù)作選擇。

內(nèi)建準(zhǔn)確的低電壓偵測電路(LVD)。

內(nèi)建 11+2 通道 12 位元類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器(Analog to Digital Converter)。

內(nèi)建準(zhǔn)確的電壓比較器(Voltage Comparator)。

內(nèi)建上電復(fù)位電路(POR)。

內(nèi)建低壓復(fù)位功能(LVR)。

內(nèi)建看門狗計時(WDT),可由程式韌體控制開關(guān)。

內(nèi)建電阻頻率轉(zhuǎn)換器(RFC)功能。

雙時鐘機(jī)制,系統(tǒng)可以隨時切換高速振盪或者低速振盪。

高速振盪:E_HXT (超過 6MHz外部高速石英振盪)

E_XT (455K~6MHz外部石英振盪)

I_HRC (1~20MHz內(nèi)部高速RC振盪)

低速振盪:E_LXT (32KHz外部低速石英振盪)

I_LRC (內(nèi)部 32KHz低速RC振盪)

四種工作模式可隨系統(tǒng)需求調(diào)整電流消耗:正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby mode) 與 睡眠模式(Halt mode)。

十一種硬體中斷:

Timer0 溢位中斷。

Timer1 借位中斷。

Timer4 借位中斷。

Timer5 借位中斷 or CCP中斷。

WDT 中斷。

PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

三組外部中斷輸入。

低電壓偵測/比較器輸出轉(zhuǎn)態(tài)中斷。

類比數(shù)位轉(zhuǎn)換完成中斷°

NY8BM62D在待機(jī)模式(Standby mode)下的十一種喚醒中斷:

Timer0 溢位中斷。

Timer1 借位中斷。

Timer4 借位中斷。

Timer5 借位中斷 or CCP中斷。

WDT 中斷。

PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

三組外部中斷輸入。

低電壓偵測/比較器輸出轉(zhuǎn)態(tài)中斷。

類比數(shù)位轉(zhuǎn)換完成中斷。

NY8BM62D在睡眠模式(Halt mode)下的五種喚醒中斷:

WDT 中斷。

PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

三組外部中斷輸入。

引腳圖

NY8BM62D 提供三種封裝類型: SOP16, SOP14 和 SOP8

引腳圖


推薦產(chǎn)品

NY8A051C

NY8A051C單片機(jī)

九齊NY8A051C單片機(jī)是以EPROM作為記憶體的8位單片機(jī),專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計,例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是遊樂器周邊等等。採用CMOS製程並同時提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等顯著優(yōu)勢。NY8A051C核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個時序,大多數(shù)指令都是1個時序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應(yīng)用。
NY8A051D單片機(jī)

NY8A051D單片機(jī)

NY8A051D是以EPROM作為存儲器的8位單片機(jī),專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計,例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是玩具周邊等等。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能等優(yōu)勢。NY8A051D核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個指令時鐘,大多數(shù)指令都是一個指令時鐘能完成,可以讓用戶輕松地以程序控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。
NY8A062D

NY8A062D單片機(jī)

NY8B062D是以EPROM作為存儲器的8位單片機(jī),專為家電或量測等等的I/O應(yīng)用設(shè)計。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能、及高性價比等顯著優(yōu)勢。NY8B062D核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個指令時鐘,大多數(shù)指令都是一個指令時鐘能完成,可以讓用戶輕松地以過程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。NY8B062D內(nèi)建高精度十一加一通道12位ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器,與高精度電壓比較器,足以應(yīng)付各種模擬接口的偵測與量測。
NY8A062A

NY8A062A單片機(jī)

NY8B062A是以EPROM作為記憶體的8位元微控制器,除了適用於家電或量測等等的I/O應(yīng)用設(shè)計。更針對霧化器產(chǎn)品做優(yōu)化調(diào)適。採用CMOS製程並同時提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等顯著優(yōu)勢。NY8B062A核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個時序,大多數(shù)指令都是1個時序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應(yīng)用。
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