九齊芯片
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NY8BM72A 是以MTP作為記憶體的 8 位元微控制器，除了適用于家電或量測(cè)等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。更針對(duì)霧化器產(chǎn)品做優(yōu)化調(diào)適。採(cǎi)用CMOS製程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等優(yōu)勢(shì)。而MTP作為程式記憶體能更方便且有效率的開(kāi)發(fā)產(chǎn)品。NY8BM72A 核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制，共有 53條指令。除了少數(shù)指令需要 2 個(gè)時(shí)序，大多數(shù)指令都是 1 個(gè)時(shí)序即能完成，可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。
NY8BM72A內(nèi)建除錯(cuò)仿真電路，利用兩個(gè)腳位與很少的外接硬體，就能實(shí)現(xiàn)在線仿真器的大多數(shù)功能, 例如設(shè)定程式執(zhí)行條件與中斷條件, 片上單步執(zhí)行，以及查看及設(shè)定各種暫存器的內(nèi)容。仿真的執(zhí)行效果將比一般的仿真器更接近實(shí)際IC運(yùn)作。
NY8BM72A內(nèi)建高精度 12+1 通道 12 位元類(lèi)比數(shù)位轉(zhuǎn)換器，與高精度電壓比較器，足以應(yīng)付各種類(lèi)比介面的偵測(cè)與量測(cè)。
NY8BM72A內(nèi)建的高頻振盪器，能彈性選擇輸出頻率區(qū)段，以適用于多樣的霧化器元件，更可以程式細(xì)調(diào)輸出頻率，細(xì)度足以應(yīng)付霧化器的元件偏差。
在I/O的資源方面，NY8BM72A 有 18 根彈性的雙向I/O腳，每個(gè)I/O腳都有單獨(dú)的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個(gè)I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開(kāi)漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對(duì)紅外線搖控的產(chǎn)品方面，NY8BM72A內(nèi)建了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。
NY8BM72A 有四組計(jì)時(shí)器，可用系統(tǒng)頻率當(dāng)作一般的計(jì)時(shí)的應(yīng)用或者從外部訊號(hào)觸發(fā)來(lái)計(jì)數(shù)。另外NY8BM72A 提供3 組 10 位元解析度的PWM輸出，3 組蜂鳴器輸出可用來(lái)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)、LED、或蜂鳴器等等。
NY8BM72A 采用雙時(shí)鐘機(jī)制，高速振盪或者低速振盪都可以分別選擇內(nèi)部RC振盪或外部Crystal輸入。在雙時(shí)鐘機(jī)制下，NY8BM72A 可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節(jié)省電力消耗延長(zhǎng)電池壽命。并且微控制器在使用內(nèi)部RC高速振盪時(shí)，低速振盪可以同時(shí)使用外部精準(zhǔn)的Crystal計(jì)時(shí)。可以維持高速處理同時(shí)又能精準(zhǔn)計(jì)算真實(shí)時(shí)間。
在省電的模式下如待機(jī)模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)中，有多種事件可以觸發(fā)中斷喚醒NY8BM72A 進(jìn)入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 來(lái)處理突發(fā)事件。
NY8BM72A能通過(guò)初始設(shè)定實(shí)現(xiàn)與NY8B072A、NY8B062A及NY8B062D相容的功能。因此，除了使用NY8_ICE，此三個(gè)母體更可使用NY8BM72A內(nèi)建除錯(cuò)仿真電路來(lái)模擬實(shí)際IC動(dòng)作。
系統(tǒng)主頻提供 20.8M/19.2M/16M/14.4M/13.6M提供選擇。
Timer 3 可option選擇直接輸出系統(tǒng)主頻，并提供最快半個(gè)Clock系統(tǒng)主頻輸出。
高頻率振盪器(FHOSC)有 11bit R-page (1DH&1EH)給使用者微調(diào)，出廠trim至 ±1%，使用者可調(diào)整至 ±0.1%。
詳細(xì)電壓及溫度對(duì)振盪器影響請(qǐng)參照 “Frequency vs. VDD of I_HRC” 及 “Frequency vs. Temperature of I_HRC” 章節(jié)。
內(nèi)建二線控制的除錯(cuò)仿真電路。
超過(guò) ±8KV 的ESD。
雜訊過(guò)濾功能(Noise Filter)打開(kāi)時(shí)可容忍超過(guò)±4KV的EFT。(操作電壓@5V)
寬廣的工作電壓：
2.0V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率 ≦8MHz。
2.2V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率 > 8MHz。
寬廣的工作溫度：-40°C ~ 85°C。
2Kx14 bits MTP。
128 bytes SRAM。
18 根可分別單獨(dú)控制輸入輸出方向的I/O腳(GPIO)、PA[7:0]、PB[7:0] 、PC[1:0]。
PA[5. 3:0]、PB[3:0]及PC[1:0]可選擇輸入時(shí)使用內(nèi)建下拉電阻。
PA[7:0]、PB[7:0]及PC[1:0]可選擇輸入時(shí)使用上拉電阻，上拉電阻可選擇 100KΩ或 1MΩ。(PA5 約為 80KΩ)。PB[7:0]及PC[1:0]可選擇開(kāi)漏極輸出(Open-Drain)。
PA[5]可選擇當(dāng)作輸入或開(kāi)漏極輸出(Open-Drain)。
所有I/O腳輸出可選擇定灌電流(Constant Sink Current)、小灌電流(Small Sink Current)、一般灌電流(Normal Sink Current)或大灌電流(Large Sink Current)。
所有I/O腳輸出可選擇小推電流(Small Drive Current)或一般推電流(Normal Drive Current)，除PA5 外。
8 層程式堆棧(Stack)。
存取資料有直接或間接定址模式。
一組 8 位元上數(shù)計(jì)時(shí)器(Timer0)包含可程式化的頻率預(yù)除線路。
三組 10 位元下數(shù)計(jì)時(shí)器(Timer1. 2. 3)可選重復(fù)載入或連續(xù)下數(shù)計(jì)時(shí)。
三個(gè) 10 位元脈衝寬度調(diào)變(PWM1. 2. 3)。
三個(gè)蜂鳴器輸出(BZ1. 2. 3)。
38/57KHz紅外線載波頻率可供選擇，同時(shí)載波之極性也可以根據(jù)數(shù)據(jù)作選擇。
內(nèi)建準(zhǔn)確的低電壓偵測(cè)電路(LVD)。
內(nèi)建 12+1 通道 12 位元類(lèi)比數(shù)位轉(zhuǎn)換器(Analog to Digital Converter)。
內(nèi)建準(zhǔn)確的電壓比較器(Voltage Comparator)。
內(nèi)建上電復(fù)位電路(POR)。
內(nèi)建低壓復(fù)位功能(LVR)。
內(nèi)建看門(mén)狗計(jì)時(shí)(WDT)，可由程式韌體控制開(kāi)關(guān)。
內(nèi)建電阻頻率轉(zhuǎn)換器(RFC)功能.
雙時(shí)鐘機(jī)制，系統(tǒng)可以隨時(shí)切換高速振盪或者低速振盪。
高速振盪：E_HXT (超過(guò) 6MHz外部高速石英振盪)
E_XT (455K~6MHz外部石英振盪)
I_HRC (1~20.8MHz內(nèi)部高速RC振盪)
低速振盪：E_LXT (32KHz外部低速石英振盪)
I_LRC (內(nèi)部 32KHz低速RC振盪)
四種工作模式可隨系統(tǒng)需求調(diào)整電流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby mode) 與 睡眠模式(Halt mode)。
十二種硬體中斷：
Timer0 溢位中斷。
Timer1 借位中斷。
Timer2 借位中斷。
Timer3 借位中斷。
WDT 中斷。
PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。
三組外部中斷輸入。
低電壓偵測(cè)中斷。
比較器輸出轉(zhuǎn)態(tài)中斷。
類(lèi)比數(shù)位轉(zhuǎn)換完成中斷°
NY8BM72A在待機(jī)模式(Standby mode)下的十二種喚醒中斷：
Timer0 溢位中斷。
Timer1 借位中斷。
Timer2 借位中斷。
Timer3 借位中斷。
WDT 中斷。
PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。
三組外部中斷輸入。
低電壓偵測(cè)中斷。
比較器輸出轉(zhuǎn)態(tài)中斷。
類(lèi)比數(shù)位轉(zhuǎn)換完成中斷o
NY8BM72A在睡眠模式(Halt mode)下的五種喚醒中斷：
WDT 中斷。
PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。
三組外部中斷輸入。
NY8BM72A 提供三種封裝類(lèi)型：SOP16, SOP20 和 DIP20
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